engis SIC碳化硅 研磨拋光設備

日本Engis目前已經提供超精密拋光設備技術以及優異加工磨料給日本國內各大單晶碳化硅(SiC)基板廠商，并且日本產總研(注一)也經測試認可已采用相關的設備。雖然單晶碳化硅基板在研磨拋光制程上比藍寶石基板相對困難，但是在高階藍光LED表現上卻是比藍寶石基板更勝一籌。

   目前在日本之單晶碳化硅基板量產大多是以2吋為主，而4吋以及6吋之單晶碳化硅基板業已開發完成并正在量產，現階段共有兩種的單晶碳化硅基板，因為日本Engis擁有超精密拋光技術設備及實績所以大多數廠商及政府研究機構是采用日本Engis公司之拋光設備以及專業技術。
   碳化硅基板的晶體結構來看有Si面以及C面，因為碳化硅材質堅硬在進行化學機械拋光(CMP)非常耗時，建議采用日本Engis公司之DMP拋光皮搭配專用鉆石液先行加工，DMP拋光皮是使用航天科技特殊纖維制成，其特殊纖維質地堅韌不易斷裂 ，可維持高效率的表面移除性能，特別適用于硬脆材質之化學機械拋光前的加工制程。